Публикации по материалам Д. Джанколи. "Физика в двух томах" 1984 г. Том 2.
В большинстве конденсаторов между пластинами проложен изолирующий материал (диэлектрик), например, бумага или пластмассовая пленка. Этим достигается сразу несколько целей. Во-первых, диэлектрики лучше противостоят электрическому пробою, чем воздух, и к конденсатору можно приложить более высокое напряжение без утечки заряда через зазор между обкладками. Во-вторых, при наличии прокладки из диэлектрика пластины можно расположить ближе друг к другу без опасения, что они могут соприкасаться. Наконец, экспериментально обнаружено, что при заполнении пространства между пластинами диэлектриком его емкость увеличивается в К раз, т.е.
С = КС0, (25.7)
где С0 - емкость, отвечающая вакууму между обкладками, а С - емкость в случае, когда пространство между пластинами заполнено диэлектриком. Множитель К называют относительной диэлектрической проницаемостью; значения К для ряда диэлектриков приведены в табл. 25.1.
Обратите внимание на то, что для воздуха при давлении 1 атм К = 1,0006, и поэтому емкость конденсатора с воздушным зазором очень мало отличается от емкости этого конденсатора в вакууме.
Для плоского конденсатора:
С = Кε0 A/d — [плоский конденсатор] (25.8),
когда пространство между пластинами целиком заполнено диэлектриком с диэлектрической проницаемостью К. Величина Кε0 так часто встречается в формулах, что нередко вводят величину
ε = Кε0, (25.9)
которую называют абсолютной диэлектрической проницаемостью. Тогда емкость плоского конденсатора принимает вид
C = εA/d
Напомним, что ε0 - это электрическая постоянная. Плотность энергии, запасенной электрическим полем Е
Влияние диэлектрика на емкость впервые всесторонне исследовал Фарадей. Он обнаружил, что, когда пространство между пластинами конденсатора заполнено диэлектриком, на пластинах при том же напряжении накапливается несколько больший заряд, нежели когда между пластинами воздух. Иначе говоря, если заряд на каждой пластине конденсатора с воздушным промежутком равен Q0, то после введения диэлектрика и подключения конденсатора к батарее с прежним напряжением V0 заряд каждой из пластин увеличится до
Q = KQ0 [при постоянном напряжении] .
Это соответствует формуле (25.7), поскольку после введения диэлектрика емкость равна
C = Q/V0 = KQ0/V0 = KC0
где С0 = Q0/V0 - емкость в отсутствие диэлектрика.
Рассмотрим теперь несколько иной случай (выше мы, вводя диэлектрик, поддерживали напряжение постоянным). Пусть пластины конденсатора, подключенного к батарее с напряжением V0, приобретают заряд
Q0 = CV0.
Прежде чем ввести диэлектрик, отключим конденсатор от батареи. После введения диэлектрика (который заполняет все пространство между пластинами) заряд Q0 на каждой из пластин не изменится. В этом случае мы обнаружим, что разность потенциалов между пластинами уменьшится в К раз:
V = V0/K
Емкость же вновь будет равна
Оба этих результата согласуются с выражением (25.7).
Электрическое поле внутри диэлектрика также изменяется. При отсутствии диэлектрика между пластинами напряженность электрического поля между обкладками плоского конденсатора определяется формулой (24.3):
Е0 = V0/d,
где V0 - разность потенциалов между пластинами, a d - расстояние между ними.
Если конденсатор изолирован, так что заряд на пластинах после введения диэлектрика не изменяется, то разность потенциалов упадет до значения V = V0/K. Напряженность электрического поля в диэлектрике теперь будет равна
E = V/d = V0/Kd или Е = E0/К [в диэлектрике]. (25.10)
Таким образом, напряженность электрического поля внутри диэлектрика также ослабляется в К раз. Электрическое поле внутри диэлектрика (изолятора) ослабляется, но, не до нуля, как в случае проводника.
Происходящее в диэлектрике можно объяснить с молекулярной точки зрения. Рассмотрим конденсатор, обкладки которого разделены воздушным "промежутком. На одной обкладке имеется заряд +Q, на другой заряд -Q (рис. 25.7, а).
Конденсатор изолирован (не подключен к батарее). Разность потенциалов между пластинами V0 определяется выражением (25.1): Q = C0V0. (Индекс 0 соответствует воздуху между пластинами.) Введем теперь между пластинами диэлектрик (рис. 25.7, b). Молекулы диэлектрика могут быть полярными - иначе говоря, они могут обладать постоянным дипольным моментом, будучи нейтральными. В электрическом поле возникнет вращательный момент, который будет стремиться развернуть диполи параллельно полю (рис. 25.7, b); тепловое движение препятствует идеальной ориентации всех молекул, однако, чем сильнее поле, тем выше будет степень выстроенности молекул. Даже если молекулы не полярны, в электрическом поле между обкладками у них произойдет разделение заряда, и молекулы приобретут индуцированный (наведенный) дипольный момент: электроны, не отрываясь от молекулы, сместятся в сторону положительной обкладки. Поэтому картина всегда будет такой, как показано на рис. 25.7, b. В конечном итоге все выглядит так, как если бы на обращенной к положительной обкладке внешней стороне диэлектрика имелся результирующий отрицательный заряд, а на противоположной - положительный (рис. 25.7, c). Из-за появления на диэлектрике этого индуцированного заряда часть электрических силовых линий не пройдет сквозь диэлектрик, а будет заканчиваться (или начинаться) на зарядах, наведенных на его поверхности. Соответственно напряженность электрического поля внутри диэлектрика окажется меньше, чем в воздухе.
Можно представить себе эту картину и по-иному (рис. 25.7, d). Напряженность электрического поля внутри диэлектрика представляет собой векторную сумму напряженности поля Е0, создаваемого «свободными» зарядами на обкладках, и напряженности поля Еинд, создаваемого зарядами, индуцированными в диэлектрике; поскольку эти поля направлены в противоположные стороны, результирующая напряженность электрического поля внутри диэлектрика Е0 - Еинд будет меньше Е0. Точное соотношение дается формулой (25.10):
Из соображений симметрии ясно, что, если размеры пластин велики по сравнению с расстоянием между ними, заряд, индуцированный на поверхности диэлектрика, не зависит от того, заполняет ли диэлектрик все пространство между пластинами или нет, если только его поверхности параллельны обкладкам. Формула (25.10) справедлива и в этом случае, хотя равенство V = V0/K уже не верно (почему?). Электрическое поле между двумя параллельными пластинами связано с поверхностной плотностью заряда σ выражением
Е = σ/е0 (разд. 23.3).
Таким образом, где σ = Q/A - поверхностная плотность заряда на обкладке, а Q - полный заряд проводника, называемый часто свободным зарядом (поскольку в проводнике заряды могут свободно перемещаться). Аналогично мы определим поверхностную плотность индуцированного заряда σинд
Еинд = σинд/ε0
где Eинд - напряженность электрического поля, создаваемого индуцированным зарядом Qинд = σиндA на поверхности диэлектрика (рис. 25.7, г); Qинд называют обычно связанным зарядом (так как в диэлектрике (изоляторе) заряды не могут свободно перемещаться). Поскольку, как показано выше, Еинд = Е0(1 - 1/К), получаем
Так как К больше 1, индуцированный на диэлектрике заряд всегда меньше заряда на обкладках конденсатора.
Продолжение следует. Коротко о следующей публикации:
Теорема Гаусса для диэлектриков .
Альтернативные статьи:
Электрически ток,
Закон Ома.
Замечания и предложения принимаются и приветствуются!